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  • 型号: IPD600N25N3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IPD600N25N3 G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD600N25N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPD600N25N3 G价格参考以及InfineonIPD600N25N3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPD600N25N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPD600N25N3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3MOSFET N-KANAL POWER MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

25 A

Id-连续漏极电流

25 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD600N25N3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD600N25N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b

产品型号

IPD600N25N3 G

Pd-PowerDissipation

136 W

Pd-功率耗散

136 W

Qg-GateCharge

22 nC

Qg-栅极电荷

22 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

60 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

60 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

10 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 90µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2350pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

29nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO252-3

其它名称

IPD600N25N3 GDKR

典型关闭延迟时间

22 ns

功率-最大值

136W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

60 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

47 S, 24 S

汲极/源极击穿电压

250 V

漏极连续电流

25 A

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Tc)

系列

IPD600N25

配置

Single

零件号别名

IPD600N25N3GBTMA1 SP000676404

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